晶圓清洗:晶圓清洗是超純水使用量最大的環節之一。每一塊晶圓在多個制造步驟中都需要進行清洗,以去除表面上的顆粒物、化學殘留物和其他汙染物。這些清洗步驟包括初始清洗、工藝中間清洗和最終清洗等,確保晶圓在各個工藝環節之間保持潔淨。
蚀刻后清洗:在蚀刻过程中,化学物质会选择性地去除晶圆上的特定材料,之后的清洗步骤用超純水冲洗蚀刻残留物,以防止任何残余物质影响下一步工艺。
光刻胶去除:光刻工艺中,光刻胶用于掩膜和图案转移。在曝光和显影之后,需要去除光刻胶,通常采用化学剂加超純水清洗,以确保表面没有任何残留。
化学机械抛光(CMP)后的清洗:CMP 工艺用于平整晶圆表面,使其达到纳米级的平整度。抛光后,超純水用于冲洗抛光液和抛光产生的残留物,确保表面不受污染。
冷却和稀释:在某些化学工艺中,超純水用于冷却反应器或稀释高浓度的化学溶液,防止工艺设备因高温或高浓度化学品而受损
半導體越先進,水消耗強度越大,對超純水设备的技術要求就很高。河南萬達環保工程有限公司一家專注水處理設備的源頭工廠, 在選擇使用反滲透設備时,一定要按规操作,通过上文反滲透設備的使用优点和注意事项的简单介绍,如果你还存在疑问,你可以拔打我们的24 小时热线,聯系我們时请告知在百度上看到的,就會有專業的水處理工程師根據你的需求制定適合你用水的水處理解決方案。
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